Японский производитель электронных деталей ROHM Semiconductor выпустил GNP2070TD-Z 650 V GAN Transistors (HEMT) в пакете без лидеров (Toll).
Пакет Toll, который оснащен компактной конструкцией с высокой тепловой диссипацией, пропускной способностью и производительностью переключения, все чаще используется в приложениях, которые требуют высокой обработки мощности, особенно внутри промышленного оборудования и автомобильных систем.
ROHM имеет на аутсорсинговых пакетах производство для Hemts для ATX Semiconductor, китайского поставщика полупроводниковых сборщиков и тестов (OSAT). ROHM планирует сотрудничать с ATX для производства автомобильных устройств GAN.
Rohm начал массовое производство своих 650 против Gan Hemts в первом поколении в апреле 2023 года, за которым следует высвобождение ICS Power Stage, которые объединяют водителя ворот и 650 против Gan Hemt в одном пакете. ROHM разработал новый продукт, включающий элементы второго поколения в платный пакет, и добавил его в пакет DFN8080, чтобы укрепить линейку пакета Rohm 650 V Gan Hemt.
Новые продукты интегрируют чипы Gan-On-Si в платный пакет, достигая значений в метрике устройства, которые коррелирует на резистентность и выходной заряд (RDS (ON) × QOSS). Это способствует дальнейшей миниатюризации и энергоэффективности в энергетических системах, которые требуют высокого сопротивления напряжения и высокоскоростного переключения.
В ответ на растущее внедрение устройств GAN в автомобильном секторе, которое, как ожидается, ускоряется в 2026 году, ROHM планирует внедрить устройства GAN в автомобильном уровне, укрепляя свои партнерские отношения, в дополнение к продвижению собственных усилий по разработке.
«Сотрудничество с OSAT, такими как ATX, обладает передовыми техническими возможностями, позволяет нам оставаться впереди на быстро растущем рынке GAN, используя при этом сильные стороны ROHM для выведения инновационных устройств на рынок», — сказал Сатоши Фудзитани, генеральный менеджер AP Production Stafforts, ROHM. «В дальнейшем мы будем продолжать повысить производительность устройств GAN для продвижения большей миниатюризации и эффективности в различных приложениях».
Источник: Rohm
