Заряженные электромобили | Infineon наладит крупносерийное производство силовых чипов GaN диаметром 300 мм в Австрии
Infineon инвестирует около 1,1 миллиарда евро к 2034 году в налаживание крупносерийного производства силовых полупроводников на основе нитрида галлия (GaN) на пластинах диаметром 300 мм на своем предприятии в Филлахе, Австрия.
Инвестиции пойдут в существующие чистые помещения Infineon в Филлахе. Производство планируется начать к концу 2027 года, а его наращивание будет соответствовать рыночному спросу.
Infineon заявляет, что обработала первые в мире пластины GaN диаметром 300 мм в сентябре 2024 года. Пластина диаметром 300 мм дает в 2,3 раза больше чипов, чем пластина диаметром 200 мм.
Европейская комиссия одобрила государственную помощь проекту в размере 319 миллионов евро в соответствии с Законом о европейских чипсах. Помощь будет предоставлена Федеральным министерством экономики, энергетики и туризма Австрии, официальное обязательство которого, как ожидается, последует.
Как объясняет Infineon, GaN может переключать и преобразовывать электроэнергию гораздо эффективнее, позволяя создавать более компактные, более мощные и более энергоэффективные электронные системы с меньшими потерями энергии и меньшим выделением тепла. Приложения включают центры обработки данных искусственного интеллекта, энергетическую инфраструктуру, электронную мобильность, робототехнику и бытовую электронику.
«Наладив крупносерийное производство 300-миллиметровых пластин, мы станем первой компанией в мире, которая внедрит в серийное производство силовую электронику на основе нитрида галлия», — сказал Йохен Ханебек, генеральный директор Infineon Technologies.
«Чипсы так же важны для экономики завтрашнего дня, как нефть была важна для вчерашней», — сказал Вольфганг Хаттмансдорфер, федеральный министр экономики Австрии. «На долю Европы в настоящее время приходится лишь около 10 процентов мирового производства чипов. Для меня вывод ясен: мы также должны производить эту ключевую технологию в Европе».
Источник: Инфинеон
